Elektronische IC Spaanders 3 van BSS123 SA SOT23 Pin Surface Mount Installation
Elektronische IC-Spaanders 3 Speld
,SOT23 elektronische IC-Spaanders
,Elektronische IC-Spaanders
Nieuwe Originele van Bss123 Sa Sot23 ic spaander van geïntegreerde schakelingen
Producten Beschrijving:
BSS123 N-Channel MOSFET 100V die 170mA/0.17A dronkaard-23/sc-59 de omschakeling/de logicaniveaucompatibel systeem merken van SA snel
Maximum van bron-Afvoerkanaal afvoerkanaal-Bron voltagevds Voltage| 100V -|- Poort-bron maximum van poort-Bronvoltagevgs (±) Voltage| 100V maximum het Afvoerkanaalstroom van Afvoerkanaal Huidige Identiteitskaart| 170mA/0.17A-bron-Afvoerkanaal op-resistanceΩRds DΩ- /Ohmain-SouΩ/Ohmce op-Staat Ω/Ohmesistance| 3.4Ω/Ohm @1.7A, 10V-poort-bron voltage van Vgs van het Inschakelen (Th) Drempelvoltage| 0.8-1.2V Pd Machtsdissipatie| 360mW/0.36W beschrijving & Toepassingen| N-Channel van de de Verhogingswijze van het Logicaniveau het Gebiedseffect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS () = 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS () = 6W @ VGS = Hoge - het ontwerp van de dichtheidscel voor uiterst - lage RDS () Voltage gecontroleerde kleine het signaalschakelaar van 10V. Ruw en betrouwbaar. Beschrijving & Toepassing | N-Channel van de de Verhogingswijze van het Logicaniveau het Gebiedseffect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS () = 6W@VGS =10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS () =6W@ VGS= 10V High-density de batterij wordt ontworpen met uiterst - laag RDS () voltage om kleine signaalschakelaar te controleren.
Technologische Parameters:
| Inputcapacitieve weerstand (Ciss) | 73pF @25V (Vds) |
| Afvoerkanaal-bronweerstand | 1.2 Ω |
| Verdreven macht | 360 mw |
| drempelvoltage | 1.7 V |
| Afvoerkanaal-bronvoltage (Vds) | 100 V |
| Installatiemethode | De oppervlakte zet op |
| speldaantal | 3 |
| pakket | Dronkaard-23-3 |
| Werkende temperatuur | -55℃ ~ 150℃ |
| Verpakking | Band & Spoel (RT) |